![无锡中微掩模电子有限公司](http://img.czvv.com/logo/523f0ecf4d609afc969cc54a/523f0ecf4d609afc969cc54a.png)
无锡中微掩模电子有限公司 main business:掩模版的生产;集成电路、电子产品的掩模研究、销售、技术开发和技术服务;电子产品的研发、生产、销售;自营各类商品和技术的进出口业务;自有房屋出租。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动) and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
welcome new and old customers to visit our company guidance, my company specific address is: 无锡市新区长江路21号信息产业园L220室.
If you are interested in our products or have any questions, you can give us a message, or contact us directly, we will receive your information, will be the first time in a timely manner contact with you.
- 320213000007612
- 913202146608302299
- 存续(在营、开业、在册)
- 有限责任公司
- 2007年04月11日
- 孙锋
- 49230.000000
- 2007年04月11日 至 2057年04月10日
- 无锡市新吴区市场监督管理局
- 2017年06月30日
- 无锡市新区菱湖大道202号
- 掩模版的生产;集成电路、电子产品的掩模研究、销售、技术开发和技术服务;电子产品的研发、生产、销售;自营各类商品和技术的进出口业务;自有房屋出租。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
类型 | 名称 | 网址 |
网站 | 中微掩模 | www.zwmask.com |
网站 | 中微mask | http://www.zwmask.com/ |
序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
1 | CN106154768A | 一种基于掩模板的集成电路基板二次曝光方法 | 2016.11.23 | 本发明属于半导体技术领域,公开了一种基于掩模板的集成电路基板二次曝光方法,包括:S1选取掩模板;S2 |
2 | CN106252205A | 一种集成电路掩模版中金属残留去除方法 | 2016.12.21 | 本发明属于半导体技术领域,公开了一种集成电路掩模版中金属残留去除方法,该掩模版中包括基板、生长在基板 |
3 | CN106225071A | 一种双循环温湿度控制系统 | 2016.12.14 | 本发明属于控制技术领域,提供了一种双循环温湿度控制系统,净化厂房内包括多个净化车间,且在净化厂房顶部 |
4 | CN206039145U | 一种掩模清洗机新型耐酸手臂 | 2017.03.22 | 本实用新型公开了一种掩模清洗机新型耐酸手臂,其包括用于流硫酸的管道,所述管道上设有若干容硫酸滴出的孔 |
5 | CN106449357A | 一种新型的掩模等离子体刻蚀方法 | 2017.02.22 | 本发明公开了一种新型的掩模等离子体刻蚀方法,其包括以下步骤:S1、利用光刻胶掩模板对涂布在镀有铬金属 |
6 | CN205980036U | 一种双循环温湿度控制系统 | 2017.02.22 | 本实用新型属于控制技术领域,提供了一种双循环温湿度控制系统,净化厂房内包括多个净化车间,且在净化厂房 |
7 | CN106406023A | 一种利用二次曝光技术修补掩模板图形区内缺陷的方法 | 2017.02.15 | 本发明公开了一种利用二次曝光技术修补掩模板图形区内缺陷的方法,包括如下步骤:(a)、将出现金属残留缺 |
8 | CN106324983A | 一种新型的掩模清洗方法 | 2017.01.11 | 本发明公开了一种新型的掩模清洗方法,其包括以下步骤:S1、使用臭氧和去离子水的混合液进行清洗,去除光 |
9 | CN106324980A | 一种利用二次曝光技术修补掩模板图形区内缺陷的方法 | 2017.01.11 | 本发明公开了一种利用二次曝光技术修补掩模板图形区内缺陷的方法,包括如下步骤:(a)、将出现金属残留缺 |
10 | CN106276764A | 一种兼容式掩模化学品供液系统 | 2017.01.04 | 本发明公开了一种兼容式掩模化学品供液系统,包括集中加液桶、气控阀、第一主电磁阀、第二主电磁阀、手动调 |
11 | CN203786461U | 兼容式掩模版上下料用花篮 | 2014.08.20 | 本实用新型涉及一种兼容式掩模版上下料用花篮,所述兼容式掩模版上下料用花篮,包括花篮架;所述花篮架内设 |
12 | CN103869607A | 二元掩模铬金属膜去除方法 | 2014.06.18 | 本发明涉及一种二元掩模铬金属膜去除方法,其所述二元掩模铬金属膜去除方法包括如下步骤:a.在镀有铬金属 |
13 | CN103698970A | 集成电路用掩模版金属残留缺陷修补方法 | 2014.04.02 | 本发明涉及一种集成电路用掩模版金属残留缺陷修补方法,所述金属残留缺陷修补方法包括如下步骤:a.提供具 |
![](http://sw-static.czvv.com/public/images/company/title_l.gif)
![](http://sw-static.czvv.com/public/images/company/title_l.gif)